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Infineon Technologies IRF1902GPBF

Name: IRF1902GPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1902GPBF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (530 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF1902GPBF

quantité disponible: 49920 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF1902GPBF.pdf

IRF1902GPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRF1902GPBF
Numéro de pièce future	FT-IRF1902GPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRF1902GPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	310pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-SO
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF1902GPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF1902GPBF-FT

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