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Infineon Technologies BSO065N03MSGXUMA1

Numéro de pièce MFG
BSO065N03MSGXUMA1
quantité disponible
63240 Pièces
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
BSO065N03MSGXUMA1.pdf
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BSO065N03MSGXUMA1 Caractéristiques

Référence fabricant BSO065N03MSGXUMA1
Numéro de pièce future FT-BSO065N03MSGXUMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries OptiMOS™
BSO065N03MSGXUMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 13A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-DSO-8
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO065N03MSGXUMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSO065N03MSGXUMA1-FT

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