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Infineon Technologies IRF100P219XKMA1

Name: IRF100P219XKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF100P219XKMA1
Price: 6.464 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (568 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF100P219XKMA1

quantité disponible: 38380 Pièces

Prix de référence: USD 6.464

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: StrongIRFET™ TRENCHMOSFETS

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF100P219XKMA1.pdf

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IRF100P219XKMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IRF100P219XKMA1
Numéro de pièce future	FT-IRF100P219XKMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	StrongIRFET™
IRF100P219XKMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	-
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 278µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	12020pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	341W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247AC
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF100P219XKMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF100P219XKMA1-FT

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