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Infineon Technologies IPU60R1K5CEAKMA1

Numéro de pièce MFG
IPU60R1K5CEAKMA1
quantité disponible
20550 Pièces
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
CoolMOS™ CE MOSFET N-CH 600V TO-251-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IPU60R1K5CEAKMA1.pdf
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IPU60R1K5CEAKMA1 Caractéristiques

Référence fabricant IPU60R1K5CEAKMA1
Numéro de pièce future FT-IPU60R1K5CEAKMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries CoolMOS™ CE
IPU60R1K5CEAKMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Vgs (Max) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur PG-TO251-3
Paquet / caisse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPU60R1K5CEAKMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IPU60R1K5CEAKMA1-FT

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