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Référence fabricant | IRFH7182TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFH7182TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FASTIRFET™, HEXFET® |
IRFH7182TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 23A (Ta), 157A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3120pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 4W (Ta), 195W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH7182TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFH7182TRPBF-FT |
BSC085N025S G
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BSC0901NSIATMA1
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