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Infineon Technologies IPP065N04N G

Name: IPP065N04N G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP065N04N G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (289 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPP065N04N G

quantité disponible: 43250 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPP065N04N G.pdf

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IPP065N04N G Caractéristiques

Référence fabricant	IPP065N04N G
Numéro de pièce future	FT-IPP065N04N G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
IPP065N04N G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2800pF @ 20V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	68W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO220-3
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP065N04N G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPP065N04N G-FT

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