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Infineon Technologies IPL65R650C6SATMA1

Numéro de pièce MFG
IPL65R650C6SATMA1
quantité disponible
24000 Pièces
Prix de référence
USD 0.570456
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
CoolMOS™ C6 MOSFET N-CH 8TSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IPL65R650C6SATMA1.pdf
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IPL65R650C6SATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant IPL65R650C6SATMA1
Numéro de pièce future FT-IPL65R650C6SATMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries CoolMOS™ C6
IPL65R650C6SATMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 56.8W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur Thin-PAK (5x6)
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPL65R650C6SATMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IPL65R650C6SATMA1-FT

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