maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPC60R299CPX1SA2
Référence fabricant | IPC60R299CPX1SA2 |
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Numéro de pièce future | FT-IPC60R299CPX1SA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
IPC60R299CPX1SA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | - |
La technologie | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC60R299CPX1SA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPC60R299CPX1SA2-FT |
HS54095TZ-E
Renesas Electronics America
HUF75333S3
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HUF75343S3
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HUFA75344S3
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IAUA200N04S5N010AUMA1
Infineon Technologies
IAUC100N10S5L040ATMA1
Infineon Technologies
IAUC100N10S5N040ATMA1
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IPA60R125C6E8191XKSA1
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
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M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
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XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
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