maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPF10N03LA
Référence fabricant | IPF10N03LA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPF10N03LA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPF10N03LA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1358pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 52W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | P-TO252-3 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPF10N03LA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPF10N03LA-FT |
SPI07N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPI07N65C3HKSA1
Infineon Technologies
SPI08N50C3HKSA1
Infineon Technologies
SPI08N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPI08N80C3
Infineon Technologies
SPI08N80C3XKSA1
Infineon Technologies
SPI100N03S2-03
Infineon Technologies
SPI100N03S2L-03
Infineon Technologies
SPI100N03S2L03
Infineon Technologies
SPI100N08S2-07
Infineon Technologies