maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SPI100N03S2L-03
Référence fabricant | SPI100N03S2L-03 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SPI100N03S2L-03 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
SPI100N03S2L-03 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8180pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO262-3-1 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPI100N03S2L-03 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SPI100N03S2L-03-FT |
IRFSL41N15D
Infineon Technologies
IRFSL4227PBF
Infineon Technologies
IRFSL4228PBF
Infineon Technologies
IRFSL4229PBF
Infineon Technologies
IRFSL4310PBF
Infineon Technologies
IRFSL4321PBF
Infineon Technologies
IRFSL4410
Infineon Technologies
IRFSL4410PBF
Infineon Technologies
IRFSL4510PBF
Infineon Technologies
IRFSL4610
Infineon Technologies
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel