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Infineon Technologies IPDD60R080G7XTMA1

Name: IPDD60R080G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPDD60R080G7XTMA1
Price: 2.988416 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (554 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPDD60R080G7XTMA1

quantité disponible: 76110 Pièces

Prix de référence: USD 2.988416

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: CoolMOS™ G7 MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPDD60R080G7XTMA1.pdf

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IPDD60R080G7XTMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPDD60R080G7XTMA1
Numéro de pièce future	FT-IPDD60R080G7XTMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	CoolMOS™ G7
IPDD60R080G7XTMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	29A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 490µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1640pF @ 400V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	174W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-HDSOP-10-1
Paquet / caisse	10-PowerSOP Module
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPDD60R080G7XTMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPDD60R080G7XTMA1-FT

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