maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPD80R1K4P7ATMA1
Référence fabricant | IPD80R1K4P7ATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPD80R1K4P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPD80R1K4P7ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 500V |
Caractéristique FET | Super Junction |
Dissipation de puissance (max) | 32W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD80R1K4P7ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPD80R1K4P7ATMA1-FT |
BSP123E6327T
Infineon Technologies
BSP123L6327HTSA1
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BSP125 E6327
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BSP125 E6433
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BSP125H6327XTSA1
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BSP125H6433XTMA1
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BSP125L6433HTMA1
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BSP129E6327
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BSP129E6327T
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LFXP6E-4T144I
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XC6SLX16-N3FTG256C
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AGLE3000V5-FG484
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M1A3P250-1PQG208I
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EP3C80F484C7N
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LCMXO2-7000HC-4BG256I
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EP1S80F1508C6
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EPF10K130EQC240-3N
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