maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPD60R400CEAUMA1
Référence fabricant | IPD60R400CEAUMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPD60R400CEAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ CE |
IPD60R400CEAUMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 14.7A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 300µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 112W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO252 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R400CEAUMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPD60R400CEAUMA1-FT |
BSP716NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP123E6327T
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BSP123L6327HTSA1
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BSP125 E6327
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BSP125 E6433
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BSP125H6327XTSA1
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BSP125H6433XTMA1
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BSP125L6327HTSA1
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BSP125L6433HTMA1
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BSP129E6327
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XC6SLX150-3FG676I
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XC3S1400A-5FG484C
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LCMXO2-1200HC-5SG32C
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5SGSED8N2F45I2
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EPF10K10QC208-3N
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