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Infineon Technologies IPD35N10S3L26ATMA1

Name: IPD35N10S3L26ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD35N10S3L26ATMA1
Price: 0.37712 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (34 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPD35N10S3L26ATMA1

quantité disponible: 13430 Pièces

Prix de référence: USD 0.37712

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPD35N10S3L26ATMA1.pdf

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IPD35N10S3L26ATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPD35N10S3L26ATMA1
Numéro de pièce future	FT-IPD35N10S3L26ATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
IPD35N10S3L26ATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 39µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	71W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO252-3-11
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD35N10S3L26ATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPD35N10S3L26ATMA1-FT

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