maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPD30N06S2L23ATMA3
Référence fabricant | IPD30N06S2L23ATMA3 |
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Numéro de pièce future | FT-IPD30N06S2L23ATMA3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPD30N06S2L23ATMA3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1091pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 100W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO252-3-11 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD30N06S2L23ATMA3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPD30N06S2L23ATMA3-FT |
IXTU55N075T
IXYS
IXTU64N055T
IXYS
IXTU8N70X2
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IXYS
IXTP14N60PM
IXYS
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
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