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IXYS IXFP56N30X3M

Name: IXFP56N30X3M
Brand: IXYS
SKU: IXFP56N30X3M
Price: 5.264 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (590 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFP56N30X3M

quantité disponible: 82040 Pièces

Prix de référence: USD 5.264

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™ FET N-CHANNEL

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFP56N30X3M.pdf

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IXFP56N30X3M Caractéristiques

Référence fabricant	IXFP56N30X3M
Numéro de pièce future	FT-IXFP56N30X3M
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™
IXFP56N30X3M Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	300V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	56A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3750pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	36W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220 Isolated Tab
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFP56N30X3M Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFP56N30X3M-FT

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