maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPD10N03LA
Référence fabricant | IPD10N03LA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPD10N03LA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPD10N03LA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1358pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 52W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO252-3 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD10N03LA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPD10N03LA-FT |
BTS244ZE3062AATMA2
Infineon Technologies
BTS247Z E3062A
Infineon Technologies
BTS247ZE3062AATMA2
Infineon Technologies
IPD30N03S4L09ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R380C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD088N06N3GBTMA1
Infineon Technologies
SPD09P06PLGBTMA1
Infineon Technologies
SPD06N80C3ATMA1
Infineon Technologies
SPD30P06PGBTMA1
Infineon Technologies
IPD031N06L3GATMA1
Infineon Technologies