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Infineon Technologies IPD082N10N3GBTMA1

Name: IPD082N10N3GBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD082N10N3GBTMA1
Availability: InStock
Rating: 4.7 (441 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPD082N10N3GBTMA1

quantité disponible: 35240 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPD082N10N3GBTMA1.pdf

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IPD082N10N3GBTMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPD082N10N3GBTMA1
Numéro de pièce future	FT-IPD082N10N3GBTMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
IPD082N10N3GBTMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 75µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3980pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO252-3
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD082N10N3GBTMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPD082N10N3GBTMA1-FT

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