maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPD048N06L3GBTMA1
Référence fabricant | IPD048N06L3GBTMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPD048N06L3GBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPD048N06L3GBTMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 90A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 58µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 115W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO252-3 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD048N06L3GBTMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPD048N06L3GBTMA1-FT |
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