maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFH5220TRPBF
Référence fabricant | IRFH5220TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFH5220TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFH5220TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.8A (Ta), 20A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99.9 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1380pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PQFN (5x6) |
Paquet / caisse | 8-VQFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5220TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFH5220TRPBF-FT |
IXTQ230N085T
IXYS
IXTQ240N055T
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IXTQ250N075T
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
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5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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EP4CGX15BF14I7N
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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