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Infineon Technologies IPC302N20N3X1SA1

Name: IPC302N20N3X1SA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC302N20N3X1SA1
Price: 2.901184 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (519 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPC302N20N3X1SA1

quantité disponible: 45030 Pièces

Prix de référence: USD 2.901184

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPC302N20N3X1SA1.pdf

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IPC302N20N3X1SA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPC302N20N3X1SA1
Numéro de pièce future	FT-IPC302N20N3X1SA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
IPC302N20N3X1SA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 260µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	Sawn on foil
Paquet / caisse	Die
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC302N20N3X1SA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPC302N20N3X1SA1-FT

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