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IPC26N12NX2SA1 Image

Infineon Technologies IPC26N12NX2SA1

Numéro de pièce MFG
IPC26N12NX2SA1
quantité disponible
31350 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
* MOSFET N-CH 120V SAWN WAFER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IPC26N12NX2SA1.pdf
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IPC26N12NX2SA1 Caractéristiques

Référence fabricant IPC26N12NX2SA1
Numéro de pièce future FT-IPC26N12NX2SA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries *
IPC26N12NX2SA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET -
La technologie -
Drain à la tension source (Vdss) -
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C -
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) -
Température de fonctionnement -
Type de montage -
Package d'appareils du fournisseur -
Paquet / caisse -
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC26N12NX2SA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IPC26N12NX2SA1-FT

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