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Référence fabricant | IPB80P04P4L08ATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPB80P04P4L08ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB80P04P4L08ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 120µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5430pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 75W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3-2 |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80P04P4L08ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB80P04P4L08ATMA1-FT |
IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R380C6ATMA1
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A1010B-2VQ80I
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AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
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