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Référence fabricant | IPB60R125CPATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPB60R125CPATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPB60R125CPATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 25A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 208W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3-2 |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R125CPATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB60R125CPATMA1-FT |
IPB072N15N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
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XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFXP2-40E-6FN484I
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10AX066H1F34I1SG
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EP1C6Q240C7N
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EP1K100QC208-1GZ
Intel