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Référence fabricant | IPB083N10N3GATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPB083N10N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPB083N10N3GATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 73A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 125W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB083N10N3GATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB083N10N3GATMA1-FT |
AUIRFS4310
Infineon Technologies
AUIRFS4310TRL
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XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
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A42MX24-2PQ208I
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A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
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EP3C10F256I7
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LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
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