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Infineon Technologies IPB35N12S3L26ATMA1

Name: IPB35N12S3L26ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB35N12S3L26ATMA1
Price: 0.48972 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (712 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPB35N12S3L26ATMA1

quantité disponible: 71160 Pièces

Prix de référence: USD 0.48972

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: * MOSFET N-CHANNEL100

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPB35N12S3L26ATMA1.pdf

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IPB35N12S3L26ATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPB35N12S3L26ATMA1
Numéro de pièce future	FT-IPB35N12S3L26ATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	*
IPB35N12S3L26ATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	-
La technologie	-
Drain à la tension source (Vdss)	-
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	-
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	-
Package d'appareils du fournisseur	-
Paquet / caisse	-
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB35N12S3L26ATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPB35N12S3L26ATMA1-FT

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