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ON Semiconductor FDM606P

Numéro de pièce MFG
FDM606P
quantité disponible
10360 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDM606P.pdf
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FDM606P Caractéristiques

Référence fabricant FDM606P
Numéro de pièce future FT-FDM606P
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDM606P Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.92W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-MLP, MicroFET (3x2)
Paquet / caisse 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDM606P Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDM606P-FT

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