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C3M0065100J-TR Image

Cree/Wolfspeed C3M0065100J-TR

Numéro de pièce MFG
C3M0065100J-TR
quantité disponible
51900 Pièces
Prix de référence
USD 10.2144
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Date d'expédition
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fabricant
Cree/Wolfspeed
Brève description
C3M™ 1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
C3M0065100J-TR.pdf
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C3M0065100J-TR Caractéristiques

Référence fabricant C3M0065100J-TR
Numéro de pièce future FT-C3M0065100J-TR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries C3M™
C3M0065100J-TR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss) 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 15V
Vgs (Max) +15V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 600V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 113.5W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-263-7
Paquet / caisse TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
C3M0065100J-TR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange C3M0065100J-TR-FT

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