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Infineon Technologies AUIRF7732S2TR

Numéro de pièce MFG
AUIRF7732S2TR
quantité disponible
20760 Pièces
Prix de référence
USD 0.571504
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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AUIRF7732S2TR Caractéristiques

Référence fabricant AUIRF7732S2TR
Numéro de pièce future FT-AUIRF7732S2TR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
AUIRF7732S2TR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.95 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DIRECTFET™ SC
Paquet / caisse DirectFET™ Isometric SC
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRF7732S2TR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange AUIRF7732S2TR-FT

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