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Référence fabricant | IPB26CNE8N G |
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Numéro de pièce future | FT-IPB26CNE8N G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPB26CNE8N G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 85V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 35A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 39µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2070pF @ 40V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 71W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB26CNE8N G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB26CNE8N G-FT |
IPB049N06L3GATMA1
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10AX048K2F35E2LG
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EP4S100G5F45I3
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A40MX02-PLG44
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XC7A25T-2CPG238C
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LFEC15E-4F484C
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5AGXBA3D6F31C6N
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EP1S40F1508C6N
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