maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPB049N08N5ATMA1
Référence fabricant | IPB049N08N5ATMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPB049N08N5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPB049N08N5ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 66µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3770pF @ 40V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 125W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB049N08N5ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB049N08N5ATMA1-FT |
AUIRF3710ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF3805S
Infineon Technologies
AUIRF3808S
Infineon Technologies
AUIRF4104S
Infineon Technologies
AUIRF4905S
Infineon Technologies
AUIRF4905STRL
Infineon Technologies
AUIRF5210S
Infineon Technologies
AUIRF540ZS
Infineon Technologies
AUIRF540ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF6215S
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel