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Infineon Technologies IPB160N04S2L03ATMA2

Name: IPB160N04S2L03ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB160N04S2L03ATMA2
Availability: InStock
Rating: 4.5 (542 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPB160N04S2L03ATMA2

quantité disponible: 47000 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH TO262-7

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPB160N04S2L03ATMA2.pdf

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IPB160N04S2L03ATMA2 Caractéristiques

Référence fabricant	IPB160N04S2L03ATMA2
Numéro de pièce future	FT-IPB160N04S2L03ATMA2
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPB160N04S2L03ATMA2 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	160A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	230nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6000pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO263-7-3
Paquet / caisse	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB160N04S2L03ATMA2 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPB160N04S2L03ATMA2-FT

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