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Infineon Technologies IRFB812PBF

Name: IRFB812PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB812PBF
Price: 0.396 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (589 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFB812PBF

quantité disponible: 92960 Pièces

Prix de référence: USD 0.396

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFB812PBF.pdf

IRFB812PBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRFB812PBF
Numéro de pièce future	FT-IRFB812PBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRFB812PBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	810pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	78W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB812PBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFB812PBF-FT

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