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Référence fabricant | IPB160N04S2L03ATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPB160N04S2L03ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPB160N04S2L03ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 160A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO263-7-3 |
Paquet / caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB160N04S2L03ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB160N04S2L03ATMA1-FT |
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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