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Référence fabricant | IPB065N15N3GE8187ATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPB065N15N3GE8187ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPB065N15N3GE8187ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 130A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7300pF @ 75V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO263-7 |
Paquet / caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB065N15N3GE8187ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB065N15N3GE8187ATMA1-FT |
IRFB7437GPBF
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A54SX32A-1TQG144
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XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
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LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel