maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPB060N15N5ATMA1
Référence fabricant | IPB060N15N5ATMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPB060N15N5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPB060N15N5ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 136A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 68A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.6V @ 180µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5300pF @ 75V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 250W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO263-7 |
Paquet / caisse | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB060N15N5ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB060N15N5ATMA1-FT |
FDJ127P
ON Semiconductor
FDJ128N_F077
ON Semiconductor
FDJ129P
ON Semiconductor
FDJ129P_F077
ON Semiconductor
FDM100-0045SP
IXYS
FDM15-06KC5
IXYS
FDM21-05QC
IXYS
FDM47-06KC5
IXYS
FDM606P
ON Semiconductor
FDMA905P_F130
ON Semiconductor
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel