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Référence fabricant | IPB033N10N5LFATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPB033N10N5LFATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™-5 |
IPB033N10N5LFATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 150µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 179W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3 |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB033N10N5LFATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB033N10N5LFATMA1-FT |
AUIRF1324STRL
Infineon Technologies
AUIRF1324STRL7P
Infineon Technologies
AUIRF1404S
Infineon Technologies
AUIRF1404STRL
Infineon Technologies
AUIRF1404ZSTRL
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AUIRF1405ZS
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AUIRF1405ZSTRL
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AUIRF2804STRL
Infineon Technologies
AUIRF2805S
Infineon Technologies
AUIRF2903ZS
Infineon Technologies
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel