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Référence fabricant | IPB033N10N5LFATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPB033N10N5LFATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™-5 |
IPB033N10N5LFATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 150µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 179W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3 |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB033N10N5LFATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB033N10N5LFATMA1-FT |
AUIRF1324STRL
Infineon Technologies
AUIRF1324STRL7P
Infineon Technologies
AUIRF1404S
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AUIRF1404STRL
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AUIRF1404ZSTRL
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AUIRF1405ZS
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AUIRF1405ZSTRL
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AUIRF2804STRL
Infineon Technologies
AUIRF2805S
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AUIRF2903ZS
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel