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Référence fabricant | IPB029N06N3GE8187ATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPB029N06N3GE8187ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 118µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 188W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB029N06N3GE8187ATMA1-FT |
AUIRF1010ZS
Infineon Technologies
AUIRF1018ES
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AUIRF1324S
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AUIRF1324STRL
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AUIRF1324STRL7P
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AUIRF1404S
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AUIRF1404STRL
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AUIRF1404ZSTRL
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AUIRF1405ZS
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AUIRF1405ZSTRL
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
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M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
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EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel