maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPAW70R600CEXKSA1
Référence fabricant | IPAW70R600CEXKSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPAW70R600CEXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ CE |
IPAW70R600CEXKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 700V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 474pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 86W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-3-31 Full Pack |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAW70R600CEXKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPAW70R600CEXKSA1-FT |
FDI33N25TU
ON Semiconductor
FDI3652
ON Semiconductor
FDI8441_F085
ON Semiconductor
FDI8442
ON Semiconductor
FDJ127P
ON Semiconductor
FDJ128N_F077
ON Semiconductor
FDJ129P
ON Semiconductor
FDJ129P_F077
ON Semiconductor
FDM100-0045SP
IXYS
FDM15-06KC5
IXYS
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation