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ON Semiconductor FDI33N25TU

Numéro de pièce MFG
FDI33N25TU
quantité disponible
12060 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
UniFET™ MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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FDI33N25TU Caractéristiques

Référence fabricant FDI33N25TU
Numéro de pièce future FT-FDI33N25TU
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries UniFET™
FDI33N25TU Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2135pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 235W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur I2PAK (TO-262)
Paquet / caisse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDI33N25TU Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDI33N25TU-FT

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