maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK9C10-65BIT,118
Référence fabricant | BUK9C10-65BIT,118 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK9C10-65BIT,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BUK9C10-65BIT,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 65V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 75A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 59.6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4170pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 171W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK-7 |
Paquet / caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9C10-65BIT,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK9C10-65BIT,118-FT |
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