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Référence fabricant | IPAN60R800CEXKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPAN60R800CEXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPAN60R800CEXKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8.4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 373pF @ 100V |
Caractéristique FET | Super Junction |
Dissipation de puissance (max) | 27W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220 Full Pack |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAN60R800CEXKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPAN60R800CEXKSA1-FT |
BSP149 E6327
Infineon Technologies
BSP149 E6906
Infineon Technologies
BSP149L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP149L6906HTSA1
Infineon Technologies
BSP170PE6327
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BSP170PE6327T
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BSP170PL6327HTSA1
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BSP171PE6327
Infineon Technologies
BSP171PE6327T
Infineon Technologies
BSP171PL6327HTSA1
Infineon Technologies
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
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10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel