maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPA037N08N3GXKSA1
Référence fabricant | IPA037N08N3GXKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPA037N08N3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPA037N08N3GXKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 75A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 155µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8110pF @ 40V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 41W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-FP |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA037N08N3GXKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPA037N08N3GXKSA1-FT |
BSP171PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP179H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP295E6327
Infineon Technologies
BSP295E6327T
Infineon Technologies
BSP295L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP296 E6433
Infineon Technologies
BSP296E6327
Infineon Technologies
BSP296L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP296L6433HTMA1
Infineon Technologies
BSP296NH6327XTSA1
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel