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Infineon Technologies BSP296E6327

Numéro de pièce MFG
BSP296E6327
quantité disponible
60430 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
SIPMOS® MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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BSP296E6327 Caractéristiques

Référence fabricant BSP296E6327
Numéro de pièce future FT-BSP296E6327
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries SIPMOS®
BSP296E6327 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 400µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.2nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 364pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.79W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-SOT223-4
Paquet / caisse TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP296E6327 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSP296E6327-FT

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