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Référence fabricant | IMS5SWDBH6R8J65 |
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Numéro de pièce future | FT-IMS5SWDBH6R8J65 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IMS-5SWD-65 |
IMS5SWDBH6R8J65 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 500mA |
Courant - Saturation | 500mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 1.02 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.9MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 55MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.9MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS5SWDBH6R8J65 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMS5SWDBH6R8J65-FT |
IM10RFCLRA3R3K12
Vishay Dale
IM10RFCLRA4R7K12
Vishay Dale
IM10RFCLRA6R8K12
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IM10RFCLSK220K12
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IM10RFCMBH100K13
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IM10RFCMBH101J13
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IM10RFCMBH102J13
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XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation