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Référence fabricant | IM10RFCMBH101J13 |
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Numéro de pièce future | FT-IM10RFCMBH101J13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IM-10RFCM-13 |
IM10RFCMBH101J13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 100µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 200mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 7 Ohm Max |
Q @ Freq | 100 @ 1.5MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 13MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1.5MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.250" Dia x 0.600" L (6.35mm x 15.24mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM10RFCMBH101J13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IM10RFCMBH101J13-FT |
IMCH1812ER560J
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IMCH1812ER560K
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RLB1014-472KL
Bourns Inc.
TCK-151
Traco Power
CH-25
Signal Transformer
DSH-31-0001
Schurter Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel