maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / IMC1210BN4R7M
Référence fabricant | IMC1210BN4R7M |
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Numéro de pièce future | FT-IMC1210BN4R7M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IMC-1210 |
IMC1210BN4R7M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 224mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 1.5 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 50MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.095" (2.41mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210BN4R7M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMC1210BN4R7M-FT |
ISC1210SY8R2K
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A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel