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Référence fabricant | ISC1210SYR15M |
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Numéro de pièce future | FT-ISC1210SYR15M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ISC-1210 |
ISC1210SYR15M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 150nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 600mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 200 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 470MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25.2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.095" (2.41mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210SYR15M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ISC1210SYR15M-FT |
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XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel