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NXP USA Inc. HYB25D128800CE-6

Name: HYB25D128800CE-6
Brand: NXP USA Inc.
SKU: HYB25D128800CE-6
Availability: InStock
Rating: 4.7 (716 reviews)

Numéro de pièce MFG: HYB25D128800CE-6

quantité disponible: 76260 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: NXP USA Inc.

Brève description: - IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Mémoire

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: HYB25D128800CE-6.pdf

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HYB25D128800CE-6 Caractéristiques

Référence fabricant	HYB25D128800CE-6
Numéro de pièce future	FT-HYB25D128800CE-6
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
HYB25D128800CE-6 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de mémoire	RAM
La technologie	MRAM (Magnetoresistive RAM)
Taille mémoire	4Mb (256K x 16)
Fréquence d'horloge	-
Ecrire le temps de cycle - Word, Page	35ns
Temps d'accès	35ns
Interface mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	3V ~ 3.6V
Température de fonctionnement	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Package d'appareils du fournisseur	44-TSOP II
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HYB25D128800CE-6 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	HYB25D128800CE-6-FT

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