maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / BR25L640F-WE2
Référence fabricant | BR25L640F-WE2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BR25L640F-WE2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BR25L640F-WE2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | 5MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25L640F-WE2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BR25L640F-WE2-FT |
BR24G02FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G04FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G04FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G08FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G128FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G128FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G16FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G16FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G32FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G32FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel